История компании
АО «Элма–Малахит» было основано в 1995г. на базе научно-технического отдела, занимавшегося разработкой технологии монокристаллов, пластин и эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений A3B5, и цеха по промышленному выпуску этих материалов НПО «ЭЛМА» и вошло в качестве дочернего предприятия в состав образованного в том же году АО «НПО «ЭЛМА». АО «Элма–Малахит» стало правопреемницей всех технологий материалов A3B5, разработанных коллективом ее сотрудников в составе НПО «ЭЛМА», в связи с чем начало истории предприятия может быть отнесено к моменту начала разработок указанных технологий в НИИ Материаловедения, входившего в НПО «ЭЛМА».
АО «Элма-Малахит» ведет отсчет своей истории с 1967г, когда в государственном институте материаловедения (НИИМВ) бала создана лаборатория по полупроводниковым соединениям A3B5.
В советские времена НИИМВ в составе НПО "Элма" разрабатывали материалы группы A3B5 для нужд отечественной электроники.
В 1995 г. в результате приватизации на базе подразделений НПО "Элма", занимавшихся разработкой и производством материалов A3B5, было образовано АО «Элма-Малахит» как самостоятельное предприятие.
На протяжении более 25 лет наш коллектив непрерывно совершенствовал технологии производства соединения A3B5.
1969 г. | Получены первые эпитаксиальные структуры GaAs по хлоридной и MOCVD технологиям. |
1971 г. | Налажено производство монокристаллического GaAs и GaP. |
1972 г. | Получены первые гетеро-эпитаксиальные структуры GaN хлоридно-гидридным методом. |
1976 г. | Освоен метод жидкостной эпитаксии материалов A3B5. |
1977 г. | Налажено производство м/к GaP Ø40мм и многослойных эпитаксиальных структур GaAs. |
1980 г. | Получены первые м/к GaP Ø76мм. |
1983 г. | Получены первые гетероэпитаксиальные структуры на основе арсенида галлия по МОС – гидридной технологии для НЕМТ - транзисторов. |
1984 г. | Разработана хлоридно-гидридная технология эпитаксиальных структур фосфида индия и арсенида галлия. |
1993 г. | Начало регулярных экспортных поставок GaP. |
2001 г. | Получены монокристаллы GaP Ø100мм. |
2002 г. | Начало регулярных поставок на экспорт пластин GaP Ø76мм. |
2003 г. | Получены гетеро эпитаксиальные структуры GaN и твердых растворов III-нитридов с применением MOCVD технологии. |
2005 г. | Получение светодиодной гетероструктуры InGaN/Al2O3. |
2006 г. | Начало производства гетероструктур НЕМТ на подложках сапфира. |
2009 г. | Начало производства гетероструктур A3B5 на подложках SiC (2"). |
2013 г. | Разработана технология роста нитридов A3B5 на подложках кремния. |
2015 г. | Разработана технология гетероэпитаксиальных структур на подложках SiC диаметром 3" и 4” для НЕМТ - транзисторов. |
2016-2023 г. | Проведение работ по совершенствованию качества гетероэпитаксиальных структур нитридных соединений. |