RU
Company history
АО «Элма–Малахит» было основано в 1995г. на базе научно-технического отдела, занимавшегося разработкой технологии монокристаллов, пластин и эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений A3B5, и цеха по промышленному выпуску этих материалов НПО «ЭЛМА» и вошло в качестве дочернего предприятия в состав образованного в том же году АО «НПО «ЭЛМА». АО «Элма–Малахит» стало правопреемницей всех технологий материалов A3B5, разработанных коллективом ее сотрудников в составе НПО «ЭЛМА», в связи с чем начало истории предприятия может быть отнесено к моменту начала разработок указанных технологий в НИИ Материаловедения, входившего в НПО «ЭЛМА».
АО «Элма-Малахит» ведет отсчет своей истории с 1967г, когда в государственном институте материаловедения (НИИМВ) бала создана лаборатория по полупроводниковым соединениям A3B5.
В советские времена НИИМВ в составе НПО "Элма" разрабатывали материалы группы A3B5 для нужд отечественной электроники.
В 1995 г. в результате приватизации на базе подразделений НПО "Элма", занимавшихся разработкой и производством материалов A3B5, было образовано АО «Элма-Малахит» как самостоятельное предприятие.
На протяжении более 25 лет наш коллектив непрерывно совершенствовал технологии производства соединения A3B5.
| 1969 г. | Obtaining the first GaAs heterostructures by HVPE and MOCVD. |
| 1971 г. | Production of monocrystalline GaAs and GaP has been established. |
| 1972 г. | The first heteroepitaxial structures of GaN were obtained by HVPE. |
| 1976 г. | The method of liquid pase epitaxy has been mastered for A3B5 materials. |
| 1977 г. | The production of GaP 40mm monocrystals has been established. |
| 1980 г. | Obtained the first GaP 76mm monocrystals. |
| 1983 г. | The first production of heterastructures for НЕМТ were made. |
| 1993 г. | Start of regularcexport deliveries of GaP. |
| 2001 г. | Monocristallic GaP 100mm were obtained. |
| 2002 г. | Start of regularcexport deliveries of 76mm GaP. |
| 2003 г. | Heteroepitaxial structures of GaN and solid solutions of III-nitrides were obtained using MOCVD. |
| 2005 г. | Obtained the first LED heterostructures InGaN/Al2O3. |
| 2006 г. | Start to produce HEMT heterostructures on sapfire substrates. |
| 2009 г. | Start to produce A3B5 on SiC (2") heterostructures. |
| 2013 г. | Ntrides grows technic of A3B5 on silicon substrates was developed. |
| 2014 г. | The first HEMT heterostructures on SiC (3") substrates were developed. |