Компания >> История

История

АО «Элма-Малахит» ведет отсчет своей истории с 1967г, когда в государственном институте материаловедения (НИИМВ) бала создана лаборатория по полупроводниковым соединениям A3B5.

В советские времена НИИМВ в составе НПО "Элма" разрабатывали материалы группы A3B5 для нужд отечественной электроники.

В 1995 г. в результате приватизации на базе подразделений НПО "Элма", занимавшихся разработкой и производством материалов A3B5, было образовано АО «Элма-Малахит» как самостоятельное предприятие.

На протяжении почти 40 лет своей истории наш коллектив непрерывно совершенствовал технологии производства соединения A3B5.

1969 г.Получены первые эпитаксиальные структуры GaAs по хлоридной и MOCVD технологиям.
1971 г.Налажено производство монокристаллического GaAs и GaP.
1972 г.Получены первые гетеро-эпитаксиальные структуры GaN хлоридно-гидридным методом.
1976 г.Освоен метод жидкостной эпитаксии материалов A3B5.
1977 г.Налажено производство м/к GaP Ø40мм и многослойных эпитаксиальных структур GaAs.
1980 г.Получены первые м/к GaP Ø76мм.
1983 г.Получены первые ГЭС для НЕМТ.
1993 г.Начало регулярных экспортных поставок GaP.
2001 г.Получены монокристаллы GaP Ø100мм.
2002 г.Начало регулярных поставок на экспорт пластин GaP Ø76мм.
2003 г.Получены гетеро эпитаксиальные структуры GaN и твердых растворов III-нитридов с применением MOC VD технологии.
2005 г.Получение светодиодной гетероструктуры InGaN/Al2O3.
2006 г.Начало производства гетероструктур НЕМТ на подложках сапфира.
2009 г.Начало производства гетероструктур A3B5 на подложках SiC (2").
2013 г.Разработана технология роста нитридов A3B5 на подложках кремния.
2014 г.Получены структуры HEMT на подложках SiC (3").