EN

Компания >> История

История компании

АО «Элма–Малахит» было основано в 1995г. на базе научно-технического отдела, занимавшегося разработкой технологии монокристаллов, пластин и эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений A3B5, и цеха по промышленному выпуску этих материалов НПО «ЭЛМА» и вошло в качестве дочернего предприятия в состав образованного в том же году АО «НПО «ЭЛМА». АО «Элма–Малахит» стало правопреемницей всех технологий материалов A3B5, разработанных коллективом ее сотрудников в составе НПО «ЭЛМА», в связи с чем начало истории предприятия может быть отнесено к моменту начала разработок указанных технологий в НИИ Материаловедения, входившего в НПО «ЭЛМА».

АО «Элма-Малахит» ведет отсчет своей истории с 1967г, когда в государственном институте материаловедения (НИИМВ) бала создана лаборатория по полупроводниковым соединениям A3B5.

В советские времена НИИМВ в составе НПО "Элма" разрабатывали материалы группы A3B5 для нужд отечественной электроники.

В 1995 г. в результате приватизации на базе подразделений НПО "Элма", занимавшихся разработкой и производством материалов A3B5, было образовано АО «Элма-Малахит» как самостоятельное предприятие.

На протяжении более 25 лет наш коллектив непрерывно совершенствовал технологии производства соединения A3B5.

1969 г.Получены первые эпитаксиальные структуры GaAs по хлоридной и MOCVD технологиям.
1971 г.Налажено производство монокристаллического GaAs и GaP.
1972 г.Получены первые гетеро-эпитаксиальные структуры GaN хлоридно-гидридным методом.
1976 г.Освоен метод жидкостной эпитаксии материалов A3B5.
1977 г.Налажено производство м/к GaP Ø40мм и многослойных эпитаксиальных структур GaAs.
1980 г.Получены первые м/к GaP Ø76мм.
1983 г.Получены первые гетероэпитаксиальные структуры на основе арсенида галлия по МОС – гидридной технологии для НЕМТ - транзисторов.
1984 г.Разработана хлоридно-гидридная технология эпитаксиальных структур фосфида индия и арсенида галлия.
1993 г.Начало регулярных экспортных поставок GaP.
2001 г.Получены монокристаллы GaP Ø100мм.
2002 г.Начало регулярных поставок на экспорт пластин GaP Ø76мм.
2003 г.Получены гетеро эпитаксиальные структуры GaN и твердых растворов III-нитридов с применением MOCVD технологии.
2005 г.Получение светодиодной гетероструктуры InGaN/Al2O3.
2006 г.Начало производства гетероструктур НЕМТ на подложках сапфира.
2009 г.Начало производства гетероструктур A3B5 на подложках SiC (2").
2013 г.Разработана технология роста нитридов A3B5 на подложках кремния.
2015 г.Разработана технология гетероэпитаксиальных структур на подложках SiC диаметром 3" и 4” для НЕМТ - транзисторов.
2016-2023 г.Проведение работ по совершенствованию качества гетероэпитаксиальных структур нитридных соединений.